Σκαρλάτος Δημήτριος

Δημήτριος Σκαρλάτος
Τίτλος:
Καθηγητής
Τομέας:
Τομέας Φυσικής Συμπυκνωμένης Ύλης
Γραφείο:
3ος Όροφος Α Κτηρίου Φυσικής
Διεύθυνση:
Τμήμα Φυσικής / Πανεπιστήμιο Πατρών, Πάτρα GR 26500
Τηλέφωνο:
+30 2610 997475
Email:
dskar@upatras.gr
Ώρες Διαθεσιμοτητας:
Τρίτη 14:00-16:00 Τετάρτη 15:00-17:00 Πέμπτη 11:00-13:00
Μαθήματα

5ου Εξαμήνου
  • Εργαστήριο Φυσικής V

    • Μαθήματα ΜΠΣ
    No items found
    Σύντομο Βιογραφικό

    Ο Δ. Σκαρλάτος γεννήθηκε το 1966 στην Αθήνα.

    ΤΙΤΛΟΙ ΣΠΟΥΔΩΝ

    1. Διδακτορικό Δίπλωμα από το Τμήμα Φυσικής της Σχολής Θετικών Επιστημών του Αριστοτελείου Παν/μίου Θεσσαλονίκης στις 29/6/2000.

    Τίτλος της Διατριβής:  «Ο ρόλος των σημειακών και εκτεταμένων ατελειών του πυριτίου στη λειτουργία των τρανζίστορ MOS».

    2. Μεταπτυχιακό Δίπλωμα Ειδίκευσης στις 8/4/1993 από τον Τομέα Φυσικής Συμπυκνωμένης Ύλης του Τμήματος Φυσικής του Πανεπιστημίου Κρήτης με έμφαση στην Φυσική Ημιαγωγών και Διατάξεων.

    3. Πτυχίο Φυσικού στις 7/9/1990 από το Τμήμα Φυσικής  του Πανεπιστημίου Αθηνών

    ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΗ  ΣΤΑΔΙΟΔΡΟΜΙΑ

    ● Από 29/8/2023-σήμερα:   Καθηγητής του Τμήματος Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών. Γνωστικό αντικείμενο: «Φυσική των Υλικών με εφαρμογές στη Μικροηλεκτρονική (Πειραματική)»

    ● Από 4/5/2015 έως 29/8/2023:  Αναπληρωτής  Καθηγητής του Τμήματος Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών. Γνωστικό αντικείμενο: «Φυσική των Υλικών με εφαρμογές στη Μικροηλεκτρονική (Πειραματική)»

    ● Από 12/4/2011 έως 4/5/2015: Μόνιμος Επίκουρος Καθηγητής του Τμήματος Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών. Γνωστικό αντικείμενο: «Φυσική των Υλικών με εφαρμογές στη Μικροηλεκτρονική (Πειραματική)»

    ● Από 10/7/2007-12/4/2011: Επίκουρος Καθηγητής επί θητεία του Τμήματος Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών. Γνωστικό αντικείμενο: «Φυσική των Υλικών με εφαρμογές στη Μικροηλεκτρονική (Πειραματική)»

    ● Από 1/9/2003 έως 9/7/2007 : Συνεργαζόμενος Ερευνητής  με προσόντα Ερευνητή Δ’ (ν.1514/85) στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής του Ε.ΚΕ.Φ.Ε «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ».

    ● Ακ.Έτος 2004 – 2005 έως και  Ακ.Έτος 2005 – 2006: Επιστημονικός  Συνεργάτης με πλήρη προσόντα του Τμήματος Ηλεκτρονικής του ΤΕΙ Πειραιά.

    ● Ακ.Έτος 2000 – 2001 έως και Ακ.Έτος 2002 – 2003 : Εργαστηριακός Συνεργάτης με πλήρη προσόντα του Τμήματος Ηλεκτρονικής του ΤΕΙ Αθήνας.

    ● Από 1/7/2000 έως και 31/8/2003 : Επιστημονικός Συνεργάτης του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του Ε.ΚΕ.Φ.Ε «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ».

    ● Από 15/12/1995 έως και 15/6/2000:Υπότροφος του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του Ε.ΚΕ.Φ.Ε «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ». 

    ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΕΣ  ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΕΣ

    Εμπίπτουν στον χώρο της Μικρο-Νανοηλεκτρονικής και Τεχνολογίας των Ημιαγωγών της Ομάδας IV (Πυρίτιο,  Πυρίτιο υπό μηχανική τάση – Strained Silicon, Γερμάνιο) και συγκεκριμένα στην μελέτη δομικών, ηλεκτρικών και φυσικοχημικών ιδιοτήτων υλικών ή συνδυασμού υλικών για εφαρμογές σε διατάξεις λογικής και μνήμης της Τεχνολογίας CMOS. Ειδικότερα :

    (α) στην πειραματική μελέτη τής ανάπτυξης και της κινητικής εκτεταμένων ατελειών  που δημιουργούνται  από διεργασίες κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (π.χ. ιοντική εμφύστευση, Flash Lamp annealing) καθώς και της αλληλεπίδρασής τους με τις σημειακές ατέλειες σε ημιαγωγούς της ομάδας IV (Πυρίτιο,  Γερμάνιο).

    (β) στην πειραματική  μελέτη τών φαινομένων Εμφύτευσης, Διάχυσης και Ενεργοποίησης  προσμίξεων (dopants) σε ημιαγωγούς της ομάδας IV (Πυρίτιο,  Γερμάνιο) για δημιουργία ρηχών επαφών p-n (shallow junctions) και την προσομοίωσή τους με τεχνικές Monte Carlo και Συνεχούς Προσέγγισης (continuum).

    (γ) στην ανάπτυξη και τον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό Διηλεκτρικών Πύλης τεχνολογίας MOS ημιαγωγών της ομάδας IV (Πυρίτιο,  Πυρίτιο υπό μηχανική τάση – Strained Silicon, Γερμάνιο).

    (δ) στην ανάπτυξη  διατάξεων μνημών τεχνολογίας MOS ή συμβατής [μνήμες νανοκρυστάλλων, μνήμες τύπου MANOS, υβριδικές μνήμες, μνήμες τύπου ReRAM] σε υπόστρωμα Πυριτίου.

    ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ

    (α) Πλήρης έξοικείωση (εμπειρία 26 ετών) με τις τεχνολογικές διεργασίες κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων MOS ημιαγωγών της ομάδας IV σε περιβάλλον καθαρού χώρου (clean room). Ιδιαίτερη εμπειρία σε τεχνικές ανάπτυξης διηλεκτρικών σε ημιαγώγιμα υποστρώματα (εναπόθεση με τη μέθοδο ALD – Atomic Layer Deposition, θερμικές διεργασίες όπως η θερμική οξείδωση και η οξυνιτριδίωση), σε τεχνικές Θερμικής Ανόπτησης συμβατικής ή μη (σε φούρνο, RTA, Flash Lamp) για τη διάχυση και ενεργοποίηση προσμίξεων,  και στην Οπτική Λιθογραφία. Εμπειρία και σε τεχνικές Μικρομηχανικής Πυριτίου όπως η τεχνική συγκόλλησης δισκίων (Silicon Wafer Bonding), η λέπτυνση (Lapping) και λείανση (Polishing) δισκίων.

    (β) Σημαντική εμπειρία στην προσομοίωση πολλών από τις παραπάνω διεργασίες και των συνδυασμών τους με την βοήθεια των διεθνώς αναγνωρισμένων Προσομοιωτών Τεχνολογίας SILVACO και SYNOPSΥS TCAD.

    (γ) Σημαντική εμπειρία σε τεχνικές ηλεκτρικού χαρακτηρισμού (C-V, G-V, G-f, I-V) δομών MOS.

    (δ) Σημαντική επαφή και εμπειρία με τεχνικές Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας Διέλευσης (TEM) η οποία ξεκίνησε μετά από μετάβαση στο ερευνητικό κέντρο Μικροσκοπίας CEMES/CNRS της Toulouse (1ο εξάμηνο του 1997). Αυτή περιλαμβάνει την προετοιμασία δειγμάτων, την παρατήρηση εκτεταμένων ατελειών καθώς και στην ανάλυση των αντίστοιχων μικρογραφιών με μεθόδους αναγνώρισης εικόνας.

    ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΑ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΑ

    ESPRIT – RAPID (Redistribution and Activation Phenomena in Integrated Circuit and Device Manufacturing). Από 1/6/1997 έως 1/ 6/2000. Φορέας Εκτέλεσης : Ινστ. Μικροηλεκτρονικής, ΕΚΕΦΕ “Δημόκριτος”, Επιστ. Υπευθ.: Δρ. Δ. Τσουκαλάς. Άλλοι Συμμετέχοντες Φορείς : Philips Research Laboratories (Eindhoven)/The Nederlands, Fraunhofer – Institut für Intergrierte Schaltungen (Erlangen)/Germany, CEMES/CNRS (Toulouse)/France, Engineering Materials/University of Southampton,/England. Ρόλος: Υποψήφιος Διδάκτορας.

    GROWTH – NEON (Nanoparticles for Electronic Applications). Από 1/2/2001  έως  30/12/2004. Φορέας Εκτέλεσης: Ινστ. Μικροηλεκτρονικής, ΕΚΕΦΕ “Δημόκριτος”, Επιστ. Υπευθ.: Δρ. P.Normand.Άλλοι Συμμετέχοντες Φορείς : CNRS /CEMES/France,  ST Microelectronics/Italy,  Aarhus University/Denmark,  ZMD (Zentrum Mikroelektronik Dresden)/Germany,  FZR (Research Center Rossendorf)/Germany, MDM/INFM/Italy,  CNRS/PHASE/France. Ρόλος: Μεταδιδακτορικός Ερευνητής.

    IST – FRENDTECH (Front-End models for silicon Future Technology). Από 1/9/2001 έως 1/10/2004. Φορέας Εκτέλεσης: Ινστ. Μικροηλεκτρονικής, ΕΚΕΦΕ “Δημόκριτος”, Επιστ. Υπευθ.: Δρες. Δ. Τσουκαλάς – Χ.Τσάμης. Άλλοι Συμμετέχοντες Φορείς : Fraunhofer – Institut für Intergrierte Schaltungen (Erlangen)/Germany, CEMES/CNRS (Toulouse)/ France, IMETEM (Catania)/Italy, Philips Research Laboratories (Eindhoven)/The Nederlands, University of Surrey/England, ISEN/CNRS (Lille)/France, Engineering Materials, /University of Southhampton/England, MTA-MFA (Budapest)/Hungary. Ρόλος: Μεταδιδακτορικός Ερευνητής.

    ΓΓΕΤ– NON–EU-204 Συνεργασία με χώρες εκτός Ευρωπαϊκής Ένωσης (Ελλάδα – Ην.Πολιτείες) “Process-induced strain modification in strained silicon layers and influence on device performance”. Από 1/2006 έως12/2007. Φορέας Εκτέλεσης : Ινστ. Μικροηλεκτρονικής, ΕΚΕΦΕ “Δημόκριτος” (Επιστ. Υπευθ.: Δρ. Χ.Τσάμης) και Τμήμα Φυσικής Πανεπιστημίου Πατρών( Επιστ. Υπευθ.:Καθ. Μιχ. Πιζάνιας). Άλλοι Συμμετέχοντες Φορείς : ΕΙΧHΜΥΘ- ΙΤΕ Πάτρας, Τμήμα Φυσικής ΑΠΘ, MEMC-Electronic Materials/USA. Ρόλος: Έμπειρος  Ερευνητής.

    ΓΓΕΤ- ΠΕΝΕΔ-2003 ΕΔ469 « Διάχυση και ενεργοποίηση προσμίξεων σε ημιαγωγούς της ομάδας IV (Strained Silicon και Ge) για νέες Νανοηλεκτρονικές Διατάξεις». Από 11/2005 έως 12/2008. Φορέας Εκτέλεσης : Ινστ. Μικροηλεκτρονικής, ΕΚΕΦΕ “Δημόκριτος” (Επιστ. Υπευθ.: Δρ. Χ.Τσάμης) και Τμήμα Φυσικής Πανεπιστημίου Πατρών(Επιστ. Υπευθ.:Καθ. Μιχ. Πιζάνιας). Άλλοι Συμμετέχοντες Φορείς : ΕΜΠ – ΣΕΜΦΕ. Ρόλος: Έμπειρος  Ερευνητής και βασικός συγγραφέας της πρότασης.

    ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΒΑΣΙΚΗΣ ΕΡΕΥΝΑΣ ΤΟΥ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟΥ ΠΑΤΡΩΝ ΚΑΡΑΘΕΟΔΩΡΗ-2009, C906. «Μελέτη διεργασιών Front – End της αναδυόμενης τεχνολογίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων MOS Γερμανίου». Φορέας Εκτέλεσης: Τμήμα Φυσικής-Πανεπιστήμιο Πατρών. Άλλοι Συμμετέχοντες Φορείς : Ινστ. Μικροηλεκτρονικής, ΕΚΕΦΕ «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ», Τμήμα Φυσικής ΑΠΘ, Τμήμα Χημικών Μηχανικών/Πανεπιστήμιο Πατρών. Ρόλος: Επιστημονικός Υπεύθυνος.

    ΓΓΕΤ- ΗΡΑΚΛΕΙΤΟΣ ΙΙ [MIS: 346791 και Φ.Κ.: D.276.001.059]. Από 1/4/2011 έως 31/10/2014. «Διατάξεις παγίδευσης φορτιου (memories) με τη χρήση νέων διηλεκτρικών υλικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς». Φορείς Εκτέλεσης : Τμήμα Φυσικής-Πανεπιστήμιο Πατρών και Ινστ. Μικροηλεκτρονικής/ΕΚΕΦΕ «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ». Ρόλος: Επιστημονικός Υπεύθυνος.

    GSRT-Call for Greece-Germany Bilateral R&D Cooperation, 2013 – 2015, GER_2316 “Graphene controlled electrochemical interfaces for nanoscaled ReRAM devices”. Από 1/11/2013 έως 31/10/2015 Φορέας 1 : Τομέας Μικροηλεκτρονικής, ΕΚΕΦΕ «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ», Φορέας 2 :Τμήμα Φυσικής-Πανεπιστήμιο Πατρών, Φορέας 3 : Peter Grünberg Institute – Forschungszentrum Jülich, AIXTRON SE-AIX (Letter of Support). Ρόλος: Επιστημονικός Υπεύθυνος Φορέα 2.

    ΓΓΕΤ «ΣΥΝΕΡΓΑΣΙΑ» 2011, “Surface treatment of multi-crystalline Si Solar Cells for improved efficiency”. Από 19/12/2013 έως 19/6/2015. Συμμετέχοντες Φορείς : Τομέας Μικροηλεκτρονικής/ ΕΚΕΦΕ «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ», Τμήμα Επιστήμης Υλικών/ Πανεπιστήμιο Πατρών, Τμήμα Φυσικής/Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων, Τμήμα Φυσικής/Πανεπισήμιο Πατρών (Subcontract), SOLAR CELLS HELLAS/PATRAS/GREECE. Ρόλος: Έμπειρος Ερευνητής.

    “Memristive nanomaterials and electronic devices for quantum and neuromorphic computing”  ΜΕΜ-Q (κωδ. έργου: Τ4ΔΡΩ-00030), στο πλαίσιο του Προγράμματος «Ανταγωνιστικότητα, Επιχειρηματικότητα και Καινοτομία (ΕΠΑνΕΚ)» 2014-2020  στη Δράση Εθνικής Εμβέλειας «Διμερής και Πολυμερής Ε&Τ Συνεργασία Ελλάδας – Ρωσίας». Από 1/2/ 2018- 1/2/2020. Φορέας 1: Ε.ΚΕ.Φ.Ε «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ», Φορέας 2: ΔΗΜΟΚΡΙΤΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΡΑΚΗΣ. Φορέας 3: ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ, Φορέας 4: ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΕΡΕΥΝΑΣ (ΙΤΕ)-ΙΕΧΜΗ. Συνεργαζόμενοι Φορείς Εξωτερικού: LOBACHEVSKY  STATE UNIVERSITY OF NIZHNY NOVGOROD ,   KURCHATOV INSTITUTE. Ρόλος: Επιστημονικός Υπεύθυνος Φορέα 3.

    “High performance S/D contacts for Ge CMOS technology” CERIC PROPOSAL (Proposal number: 20157033). (2016-2018) . Φορέας 1: Τμήμα Φυσικής/ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ, Φορέας 2: FBK/IMETEM (Τrento)/Italy, Φορέας 3: Ε.ΚΕ.Φ.Ε «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ».  Ρόλος: Επιστημονικός Υπεύθυνος. 

    Υποβληθείσες Προτάσεις που δεν χρηματοδοτήθηκαν

    “Germanium on insulator devices: From FinFET to gate-all-around nanowire FET”, υπεβλήθη το 2019 στο ΕΛΙΔΕΚ στα πλαίσια της πρόσκλησης « 1η Προκήρυξη ερευνητικών έργων ΕΛΙΔΕΚγια την ενίσχυση των μελών ΔΕΠ και Ερευνητών/τριών και την προμήθεια ερευνητικού εξοπλισμού μεγάλης αξίας». Επιστημονικός υπεύθυνος: Β. Ιωάννου-Σουγλερίδης.

    «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΓΕΡΜΑΝΙΟΥ», Υπεβλήθη το 2017 στα πλαίσια της πρόσκλησης του Υπουργείου Παιδείας «Υποστήριξη ερευνητών με έμφαση στους νέους ερευνητές». Επιστημονικός υπεύθυνος: Δ. Σκαρλάτος.

    “High performance S/D contacts for Ge CMOS technology”, υπεβλήθη το 2015 στο SRC (Semiconductor Research Corporation) /USA στα πλαίσια της διεθνούς πρόσκλησης “Call for White Papers in Logic and Memory Devices”. Επιστημονικός υπεύθυνος: Δ. Σκαρλάτος.

    ΙΣΤΟΡΙΚΟ ΔΙΔΑΣΚΑΛΙΑΣ

    Σε Μεταπτυχιακό επίπεδο

    (α) ΠΜΣ «Προχωρημένες Σπουδές στη Φυσική» – Ειδίκευση: «Φυσική και Τεχνολογία Υλικών – Φωτονική» του Τμήματος Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών

    • «Φυσική και Τεχνολογία Υλικών και Διατάξεων Στερεάς Κατάστασης» (Θεωρία- Επιλογής). Ακ. Έτη: 2018-2019 έως και  2022-2023 (Εαρινό Εξάμηνο). Διδασκαλία του 33% της ύλης. Συνολικά 5 έτη.

    (β) ΠΜΣ «Φυσική των Υλικών» του Τμήματος Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών

    • «Φυσική και Διατάξεις Διηλεκτρικών, Ημιαγώγιμων και Ιοντικών Υλικών» (Θεωρία- Επιλογής). Ακ. Έτη: 2010-2011έως και  2017-2018 (Εαρινό Εξάμηνο). Συνολικά 7 έτη. Διδασκαλία του 90% της ύλης. Συντονιστής και κύριος διδάσκων του μαθήματος (11 από τις 13 εβδομάδες).
    • «Τεχνικές Χαρακτηρισμού Υλικών και Εργαστήριο» (Υποχρεωτικό). Ακ. Έτη: 2010-2011 έως και  2012-2013 (Χειμερινό εξάμηνο). Συνδιδασκαλία. Συνολικά 3 έτη.

    (γ) ΔΜΠΣ «Μικροσυστήματα και Νανοδιατάξεις» του Ε.Μ.Π

    • «Διεργασίες κατασκευής Μικρο – και Νανο – Συστημάτων» (Θεωρία- Υποχρεωτικό). Ακ. Έτη : 2003-2004 έως και  2005-2006, (Χειμερινό εξάμηνο). Συνολικά 3 έτη. Διδασκαλία του 40% της ύλης.

    (δ) ΔΠΜΣ  «Μικροηλεκτρονικής» του ΕΚΠΑ

       «Διεργασίες Κατασκευής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων» (Θεωρία- Υποχρεωτικό). Ακ. Έτη 2003-2004 έως και   2005-2006 (Χειμερινό εξάμηνο). Συνολικά 3 έτη. Διδασκαλία του 40% της ύλης.

    • «Φυσική ημιαγωγικών διατάξεων» (Θεωρία-Υποχρεωτικό). Ακ. Έτος 2002 – 2003 (Εαρινό εξάμηνο). Συνολικά 1 έτoς. Διδασκαλία του 50% της ύλης.

    Σε Προπτυχιακό επίπεδο

     (α) Στο Τμήμα Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών:

    • «Σύγχρονη Φυσική» (Θεωρία – Υποχρεωτικό 4ου Εξαμήνου), Ακ. Έτη 2018-2019 έως και  2022-2023 (Εαρινό εξάμηνο). Συνολικά 5 έτη. (4ωρης εβδομαδιαίας διδασκαλίας).
    • «Ηλεκτρομαγνητισμός Ι» (Θεωρία – Υποχρεωτικό 3ου Εξαμήνου), Ακ. Έτη 2007-2008 έως και  2015-2016 (Χειμερινό εξάμηνο). Συνολικά 9 έτη. (6ωρης εβδομαδιαίας διδασκαλίας).
    • «Υλικά και Διατάξεις Μικροηλεκτρονικής» (Θεωρία – Επιλογής 6ου ή 8ου Εξαμήνου), Ακ. Έτη 2013-2014 έως και 2022-2023 (Εαρινό εξάμηνο). Συνολικά 10 έτη. (3ωρης εβδομαδιαίας διδασκαλίας). Διδασκαλία τις 10 από τις 13 εβδομάδες. Συνοδεύεται από επίσκεψη στο Clean Room του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ».
    • «Υλικά με εφαρμογές στη Μικροηλεκτρονική» (Θεωρία – Επιλογής 6ου ή 8ου Εξαμήνου), Ακ. Έτη 2008-2009 έως και  2012-2013 (Εαρινό εξάμηνο). Συνολικά 5 έτη. (3ωρης εβδομαδιαίας διδασκαλίας). Το πρώτο μάθημα Υλικών Μικροηλεκτρονικής στο Τμήμα.
    • «Εργαστήριο Φυσικής ΙV – Ηλεκτρομαγνητισμός» (Υποχρεωτικό 4ου Εξαμήνου), Ακ. Έτη 2007-2008 έως και  2014-15, 2016-17 έως και  2022-23 (Εαρινό εξάμηνο). Συνδιδασκαλία. Συνολικά  15 έτη. Από το Ακ. Έτος 2017-2018 υπεύθυνος του Εργαστηρίου.
    • «Εργαστήριο Φυσικής V – Ατομική και Πυρηνική Φυσική» (Υποχρεωτικό 5ου Εξαμήνου), Ακ. Έτη 2017-2018, έως και 2022-2023 (Χειμερινό εξάμηνο). Συνδιδασκαλία. Συνολικά 6  έτη.
    • «Εργαστήριο Προγραμματισμού ΗΥ-Ι» (Υποχρεωτικό 1ου Εξαμήνου), Ακ. Έτος 2015-2016 (Χειμερινό εξάμηνο). Συνδιδασκαλία. Συνολικά 1 έτος.
    • «Εργαστήριο Προγραμματισμού ΗΥ-ΙΙ» (Υποχρεωτικό 2ου Εξαμήνου), Ακ. Έτη 2016-2017, 2017-2018 (Εαρινό εξάμηνο). Συνδιδασκαλία. Συνολικά 2 έτη.
    • «Εργαστήριο Τεχνικών Χαρακτηρισμού Υλικών» (Υποχρεωτικό 8ου Εξαμήνου), Ακ. Έτη 2009-2010, 2010-2011, 2011-2012 (Εαρινό εξάμηνο). Συνδιδασκαλία. Συνολικά 3 έτη.
    • «Εργαστήριο Φυσικής Ι» (Υποχρεωτικό 1ου Εξαμήνου), Ακ. Έτη 2007-2008, 2008-2009 (Χειμερινό εξάμηνο). Συνδιδασκαλία. Συνολικά 2 έτη.

     (β) Στο  Τμήμα Ηλεκτρονικής της Σχολής Τεχνολογικών Εφαρμογών (ΣΤΕΦ)  του Τ.Ε.Ι  Πειραιά

    • «Ηλεκτρονικά ΙΙΙ (Σχεδιασμός Η/Ν κυκλωμάτων RF)» (Θεωρία), Ακ. Έτη 2004-2005 και 2005-2006 (Χειμερινό- Εαρινό εξάμηνο). Συνολικά 2 έτη.
    • «Ηλεκτρονική Φυσική» (Θεωρία) Ακ. Έτος 2005-2006 (Εαρινό εξάμηνο). Συνολικά 1 έτος.

     (γ) Στο  Τμήμα Ηλεκτρονικής του της Σχολής Τεχνολογικών Εφαρμογών (ΣΤΕΦ) Τ.Ε.Ι  Αθηνών

    Eργαστήρια των  μαθημάτων (Χειμερινό-Εαρινό εξάμηνο):

    • «Γλώσσες Προγραμματισμού», Ακ. Έτη: 2000-2001, 2001-2002. Συνδιδασκαλία. Συνολικά 2 έτη.
    • «Προγραμματισμός Η/Υ Ι», Ακ. Έτος: 2002-2003. Συνδιδασκαλία. Συνολικά 1 έτος.
    • «Προγραμματισμός Η/Υ ΙΙ», Ακ. Έτος: 2002-2003. Συνδιδασκαλία. Συνολικά 1 έτος.
    • «Ηλεκτρονική Φυσική» Ακ. Έτος: 2002-2003. Συνδιδασκαλία. Συνολικά 1 έτος.
    • «Αναλογικά και Ψηφιακά Ηλεκτρονικά» Ακ. Έτος: 2002-2003. Συνδιδασκαλία. Συνολικά 1 έτος.

    (δ) Στο Τμήμα Φυσικής του Πανεπιστημίου Κρήτης

    • «Ηλεκτρονική Φυσική 2 (Ημιαγωγοί)» (Φροντηστήριο), Ακ. Έτος 1992-1993 (Χειμερινό Εξάμηνο).
    Δημοσιεύσεις
    1. D.Skarlatos, M.Omri, A.Claverie and D.Tsoukalas, “Estimation of the number of interstitial atoms injected in Silicon during thin oxide formation”, Journal of the Electrochemical Society, 146(6), p.2276-2283, 1999
    2. L.F.Giles, M.Omri, B.de Mauduit, A.Claverie, D.Skarlatos, D.Tsoukalas, A.Nejim, “Coarsening of End-of-Range defects in ion-implanted silicon annealed in neutral and oxidizing ambients”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B 148, p.273- 278, 1999
    3. D.Skarlatos, D.Tsoukalas, L.F.Giles and A.Claverie, “Point defect injection during nitrous oxidation of Silicon in the low temperature regime”, Journal of Applied Physics, 87(3), p.1103-1109, 2000
    4. D.Tsoukalas, D.Skarlatos and J.Stoemenos , “Investigation of the interaction between silicon interstitials and dislocation loops using the wafer bonding technique”, Journal of Applied Physics, 87(12), p.8380-8384, 2000
    5. F.Cristiano, B.Colombeau, J.Grisolia, B.de Mauduit, L.F.Giles, M.Omri, D.Skarlatos D.Tsoukalas, and A.Claverie, “Influence of the annealing ambient on the relative thermal stability of dislocation loops in silicon”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B 178, p.84-88, 2001
    6. D.Tsoukalas, D.Skarlatos and J.Stoemenos, “Investigation of the influence of a dislocation loop layer on interstitial kinetics during thermal oxidation of silicon”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B178, p.180-183, 2001
    7. P.Normand, E.Kapetanakis, P.Dimitrakis, D.Skarlatos, D.Tsoukalas, K.Beltsios, A.Claverie, G.Benassayag, C.Bonafos, M.Carrada, N.Cherkashin, V.Soncini, A.Agarwal, Ch.Sohl, M.Ameen, “Effect of annealing conditions on charge storage of Si nanocrystal memory devices obtained by low – energy – ion beam synthesis”, Microelectronic Engineering 67 – 68, p. 629 – 634, 2003
    8. E.Kapetanakis, D.Skarlatos, C.Tsamis , P.Normand and D.Tsoukalas, “Influence of implantation energy on the electrical properties of ultra – thin gate oxides grown on nitrogen implanted Si – substrates.”, Applied Physics Letters, 82(26), p.4764 – 4766, 2003
    9. P.Dimitrakis, E.Kapetanakis, P.Normand, D.Skarlatos, D.Tsoukalas, K.Beltsios, A.Claverie, G.Benassayag, C.Bonafos, D.Chassaing, V.Soncini., “MOS memory structures by very – low – energy – implanted Si in thin SiO2”, Materials Science and Engineering B 101, p. 14-18, 2003
    10. D.Skarlatos*, C.Tsamis and D.Tsoukalas, “Oxidation of nitrogen – implanted silicon: Energy dependence of oxide growth and defect characterization of the silicon substrate”, Journal of Applied Physics, 93(3), p.1832-1838, 2003
    11. A.Kanjilal, J.Lundsgaard Hansen, P.Gaiduk, A.Nylandsted Larsen, N.Cherkashin, A.Claverie ,P.Normand, E.Kapetanakis, D.Skarlatos and D.Tsoukalas, “Structural and electrical properties of silicon dioxide layers with embedded germanium nanocrystals grown by molecular beam epitaxy”, Applied Physics Letters, 82(8), p.1212-1214, 2003
    12. P. Normand, E. Kapetanakis, P. Dimitrakis, D. Skarlatos, K. Beltsios, D. Tsoukalas, C. Bonafos, G. Ben Asssayag, N. Cherkashin, A. Claverie, J. A.Van Den Berg, V. Soncini, A. Agarwal, M. Ameen, M. Perego, M. Fanciulli., “Nanocrystals manufacturing by ultra-low-energy ion-beam-synthesis for nonvolatile memory applications”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B 216, p.228-238, 2004
    13. D.Skarlatos* , M.Perego , C.Tsamis , S.Ferrari , M.Fanciulli and D.Tsoukalas , “Nitrogen distribution during oxidation of low and medium energy nitrogen – implanted Silicon”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B 216, p.75-79, 2004
    14. D.Skarlatos*, E. Kapetanakis, P. Normand, C.Tsamis M. Perego, S.Ferrari, M. Fanciulli and D.Tsoukalas, “Oxidation of nitrogen – implanted silicon : Comparison of nitrogen distribution and electrical properties of oxides formed by very low and medium energy N2+ implantation”, Journal of Applied Physics, 96(1), p.300-309, 2004
    15. P. Normand, P. Dimitrakis, E. Kapetanakis, D. Skarlatos, K. Beltsios, D. Tsoukalas, C. Bonafos, H. Coffin, G. Benassayag, A Claverie, V. Soncini, A. Agarwal, Ch. Sohl, M. Ameen, “Processing issues in silicon nanocrystal manufacturing by ultra-low-energy ion-beam-synthesis for non-volatile memory applications”, Microelectronic Engineering, 73-74, p. 730 – 735, 2004
    16. P. Dimitrakis, E. Kapetanakis, D. Tsoukalas, D. Skarlatos, C. Bonafos, G. Ben Asssayag, A. Claverie, M. Perego, M. Fanciulli, V. Soncini, R. Sotgiu, A. Agarwal, M. Ameen, P. Normand , “Silicon nanocrystal memory devices obtained by ultra-low-energy ion-beam-synthesis”, Solid State Electronics, 48, p.1511-1517, 2004
    17. C.Tsamis, D.Skarlatos,V. Valamontes,G.BenAssayag, A.Claverie and W. Lerch. , “Injection of point defects during annealing of low energy arsenic – implanted Silicon”, Materials Science and Engineering B 124-125, p. 261-265, 2005
    18. D.Skarlatos* , C.Tsamis , M. Perego, M.Fanciulli and D.Tsoukalas. , “Interstitial injection during oxidation of very – low energy nitrogen implanted – Silicon”, Materials Science and Engineering B 124-125, p.. 314-318, 2005
    19. C.Tsamis, D.Skarlatos,V. Valamontes,G.BenAssayag, A.Claverie and W. Lerch. , “Interstitial injection in silicon after high dose low energy arsenic implantation and annealing”, Applied Physics Letters 87, 201903, 2005
    20. D.Skarlatos*, C.Tsamis M. Perego and M. Fanciulli , “Oxidation Enhanced Diffusion of boron in very low energy N2+ – implanted Silicon”, Journal of Applied Physics 97(1), , 2005
    21. A. Chroneos , D. Skarlatos ,C. Tsamis , A. Christofi, D.S. McPhail and R. Hung, “Implantation and diffusion of phosphorous in germanium”, Materials Science in Semiconductor Processing (9), p.640-643, 2006
    22. D. Skarlatos* , P. Tsouroutas, V.Em. Vamvakas and C. Tsamis , “Non-conservative Ostwald ripening of a dislocation loop layer under inert nitrogen – rich SiO2/Si interfaces”, Journal of Applied Physics(99), 103507, 2006
    23. N. Kelaidis, D. Skarlatos, V. Ioannou-Sougleridis, C. Tsamis, Ph. Komninou, B. Kellerman and M. Seacrist, “Oxidation of very low energy nitrogen-implanted strained-silicon”, Materials Science and Engineering B 135, p.199-202, 2006
    24. D. Skarlatos* and C. Tsamis, “Modeling of low energy-high dose arsenic diffusion in silicon in the presence of clustering-induced interstitial generation”, Journal of Applied Physics 102 (4), 043532, 2007
    25. N.Ioannou, D.Skarlatos*, C.Tsamis, C. A. Krontiras , S.N.Georga, A.Christofi and D.S.McPhail, “Germanium substrate loss during low temperature annealing and its influence on ion – implanted phosphorous dose loss”, Applied Physics Letters, 101910, 2008
    26. N. Kelaidis, V. Ioannou-Sougleridis, D. Skarlatos, C. Tsamis, C. A. Krontiras , S.N.Georga , B. Kellerman and M. Seacrist, “Influence of thermal processing on the electrical characteristics of MOS capacitors on strained – silicon substrates”, Thin Solid Films (517), 350-352, 2008
    27. N. Kelaidis, D. Skarlatos and C. Tsamis, “Simulations of the electrical characteristics of MOS capacitors on strained – silicon substrates”, Physica Status Solidi C 5(12), 3647 -3650, 2008
    28. V.Ioannou – Sougleridis, N.Kelaidis, C.Tsamis, D.Skarlatos, S.N.Georga, C.A.Krontiras, Ph.Komninou, B. Kellerman and M. Seacrist , “Study of interfacial defects induced during the oxidation of ultrathin strained silicon layers”, Journal of Applied Physics 105(1), 114503, 2009
    29. N. Ioannou, D. Skarlatos*, N. Z. Vouroutzis, S. N. Georga, C. A. Krontiras and C. Tsamis, “Gallium Implantation and Diffusion in Crystalline Germanium”, Electrochemical and Solid-State Letters, 13(3), p. H70-H72, 2010
    30. V.Ioannou – Sougleridis, N.Kelaidis, D.Skarlatos, C.Tsamis, S.N.Georga, C.A.Krontiras, Ph.Komninou, Th.Speliotis, P.Dimitrakis, B. Kellerman and M. Seacrist , “Influence of thermal oxidation on the interfacial properties of ultrathin Strained Silicon layers”, Thin Solid Films, p. 5456-5463, 2011
    31. L.Sygellou, V.Gianneta, N.Xanthopoulos, D.Skarlatos, S.Georga, C.Krontiras, S.Ladas, S. Kennou, “ZrO2 and Al2O3 thin films on Ge(100) grown by ALD : An XPS investigation”, Surface Science Spectra Vol18, p. 58-67, 2011
    32. M.Botzakaki, A.Kerasidou, L.Sygellou, V.Ioannou-Sougleridis, N.Xanthopoulos, S.Kennou, S. Ladas, N.Z.Vouroutzis, Th.Speliotis and D.Skarlatos*, “Interfacial properties of ALD-deposited Al2O3 / p-type Germanium MOS structures: influence of oxidized Ge interfacial layer dependent on Al2O3 thickness”, ECS Solid State Letters, 1(2), p.32-34, 2012
    33. D.Skarlatos*, M.Bersani, M.Barozzi, D.Giubertoni, N.Z.Vouroutzis, V.Ioannou-Sougleridis, “Nitrogen implantation and diffusion in crystalline Germanium: implantation energy, temperature and Ge surface protection dependence”, ECS Journal of Solid State Science and Technology,1(6), p.315-319, 2012
    34. M.Vasilopoulou, S.Kennou, S.Ladas, S. N. Georga, M.Botzakaki, D. Skarlatos, C.A. Krontiras, N.A.Stathopoulos, P.Argitis and L.C. Palilis , “Atomic layer deposited zirconium oxide electron injection layer for efficient organic light emitting diodes”, Organic Electronics: physics, materials, applications, 14 (1), p.312-319, 2013
    35. D.Skarlatos*, M.Bersani, M. Barozzi, N.Z.Vouroutzis, V.Ioannou-Sougleridis, “Diffusion of implanted Nitrogen in Germanium”, Physica Status Solidi C Current Topics in Solid State Physics, 10 (1), p. 60-63, 2013
    36. M. Botzakaki, A. Kerasidou, N. Xanthopoulos, D. Skarlatos, S. Kennou, S. Ladas, S.N. Georga and C.A. Krontiras, “Electrical characteristics of ALD deposited Al2O3 thin films on p-typeGermanium substrates”, Physica Status Solidi C Current Topics in Solid State Physics, 10 (1), p. 137-140, 2013
    37. N.Nikolaou*, V. Ioannou-Sougleridis, P. Dimitrakis, P.Normand, D. Skarlatos, K. Giannakopoulos, K. Kukli, J. Niinisto, M. Ritala, M.Leskela, “The effect of oxygen source in atomic layer deposited Al2O3 as blocking oxide in MANOS memory capacitors”, Thin Solid Films (533), p.5-8, 2013
    38. Nikolaos Nikolaou*, Panagiotis Dimitrakis, Pascal Normand, Dimitrios Skarlatos, Konstantinos Giannakopoulos, Konstantina Mergia, Vassilios Ioannou-Sougleridis, Kaupo Kukli, Jaakko Niinisto, Mikko Ritala, Markku Leskela, Inert ambient annealing effect on MANOS capacitor memory characteristics, Nanotechnology (26), artno134004, 2015
    39. N. Nikolaou* , V. Ioannou-Sougleridis , P. Dimitrakis , P. Normand , D. Skarlatos ,K. Giannakopoulos , S. Ladas, B. Pecassou , G. BenAssayag , K. Kukli , J. Niinistö , M. Ritala ,M. Leskelä, Nitrogen induced modifications of MANOS memory properties, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 365(A), 61-65, 2015
    40. C.Thomidis, M.Barozzi, M.Bersani, V.Ioannou-Sougleridis, N.Z.Vouroutzis, B.Colombeau and D.Skarlatos*, Strong diffusion suppression of low energy – implanted Phosphorous in Germanium by N2 co-implantation, ECS Solid State Letters, 4 (6) [OPEN ACCESS], P47-P50, 2015
    41. V.Ioannou-Sougleridis, A.Karageorgiou,M.Barlas,S.Ladas,D.Skarlatos, “Interface properties of Al-Al2O3-Ge MIS capacitors and the effect of forming gas annealing”, Microelectronic Engineering (159), 84-89, 2016
    42. D.Skarlatos*, V.Ioannou-Sougleridis, M.Barozzi, G.Pepponi, D.Velessiotis, M.C. Skoulikidou, N.Z.Vouroutzis, K. Papagelis, P. Dimitrakis, C.Thomidis, B.Colombeau, “Phosphorous diffusion in N2+-implanted Germanium during Flash Lamp Annealing: Influence of Nitrogen on Ge substrate damage and capping layer engineering”, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 6 (7) [OPEN ACCESS], P. 418-428, 2017
    43. D. Skarlatos*, V. Ioannou-Sougleridis, M. Barozzi, G. Pepponi, N. Z. Vouroutzis, D. Velessiotis, J. Stoemenos, N. Zographos, B. Colombeau , (Invited)”Issues with n-type Dopants in Germanium”, ECS Transactions, 86(10), 51-58 , 2018
    44. A.Balliou, D.Skarlatos, G.Papadimitropoulos, N.Z.Vouroutzis, N.Boukos, N.Glezos, “Molecular/Nanostructured Functional Metal Oxide Stacks for Nanoscale Nanosecond Information Storage”, Advanced Functional Materials, 29(51), artno1902642, 2019
    45. V. Ioannou-Sougleridis*, S. Alafakis, N.Z. Vouroutzis, K. Mergia, A. Speliotis and D. Skarlatos* , “Degradation of Pt-Al2O3-Ge Metal oxide semiconductor structures due to Pt-Al2O3 induced reactions”, ECS Journal of Solid State Science and Technology,(9), artno024003, 2020
    46. D.Skarlatos*, D.Velessiotis, M.C. Skoulikidou, V.Ioannou-Sougleridis, N.Z.Vouroutzis, J. Stoemenos, “Substrate damage in ion-implanted (100) Germanium after extended ms Flash Lamp Annealing: origins and suppression “, Materials Science in Semiconductor Processing (122), artno105477, 2021
    47. V. Ioannou-Sougleridis, S. Alafakis, B. Pécz, D. Velessiotis, N. Z. Vouroutzis, S. Ladas, M. Barozzi, G. Pepponi and D. Skarlatos*,“Post metallization annealing and photolithography effects in p-type Ge/Al2O3/Al  MOS structures”, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 11, artno105477, 2022
    48. A. Dokouzis*, J. Zhang, D. Skarlatos, G. Leftheriotis, “Electrochemical evaluation of barrier layers for photoelectrochromic devices”, Electrochimica Acta, 464, artno142941,  2023
    49. V.Lionas*, D. Velessiotis, G. Pilatos, Th Speliotis, K. Giannakopoulos, A. Kyriakis, D. Skarlatos, N. Glezos, “Photodetectors based on chemical vapor deposition or liquid processed multi-wall carbon nanotubes”, Optical Materials, 143, artno114283, 2023

    • Πανεπιστημιούπολη Πατρών, Ρίο

    • 2610 996072, 6070, 6077,6070

    • secrphysics [at] upatras.gr

    ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΕΣ

    ΥΠΗΡΕΣΙΕΣ

    ΤΟΜΕΙΣ

    ΣΥΝΔΕΣΜΟΙ

    ΕΚΔΗΛΩΣΕΙΣ

    © Τμήμα Φυσικής | Σχολή Θετικών Επιστημών | Πανεπιστήμιο Πατρών | All Rights Reserved

    Go to Top